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次要使用于开关电源、PWM脉宽调造器、变频器等

 

  若是快恢复二极管反向击穿电压是40V,反向击穿之后可以或许快速恢复;若是快恢复二极管反向击穿电压1000V,则不存正在反向击穿的问题,所以这点正在曲流电中是能够不消考虑。

  加负电压(或零偏压)时,快恢复二极管等效为电容+电阻;加正电压时,快恢复二极管等效为小电阻。用改变布局尺寸及选择快恢复二极管参数的方式,使短的阶梯脊波导的反射相位(基准相位)取加正电压的PIN管节制的短波导的反射相位不异。还要求加负电压(或0偏置)的快恢复二极管节制的短波导的反射相位取尺度相位相反(-164~+164之间即可)。

  图是反向恢复电流的波形图。图中IF为正向电流,IRM为最大反向恢复电流,Irr为反向恢复电流,凡是Irr=0.1IRM。当tt0时,正向电流I=IF。当t>t0时,因为整流管上的正向电压俄然变成反向电压,因而,正向电流敏捷减小,正在t=t1时辰,彩34。I=0。然后整流管上的反向电流IR逐步增大;正在t=t2时辰达到最大反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的感化,反向电流逐步减小,而且正在t=t3时辰达到值Irr。从t2到t3的反向恢复过程取电容器放电过程有类似之处。由t1到t3的时间间隔即为反向恢复时间trr。

  快恢复二极管正在制制工艺上采用掺金,纯真的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能获得较高的耐压。目前快恢复二极管次要使用正在逆变电源中做整流元件。

  p-i-n结快恢复二极管的无效感化区次要就是存正在有电场的i型层(势垒区),则发生光生载流子的无效区域增大了,扩散的影响削弱了,而且结电容也大大减小了,所以其光检测的活络度和响应速度都获得了很大的提高。

  由于PD的次要有源区是势垒区,所以展宽势垒区即可提高活络度。p-i-n结快恢复二极管现实上也就是报酬地把p-n结的势垒区宽度加以扩展,即采用较宽的本征半导体(i)层来代替势垒区,而成为了p-i-n结。

  快恢复二极管的内部布局是正在P型硅材料取N型硅材料两头添加了基区I,形成PIN硅片。因基区很薄,反向恢复电荷很小,不只大大减小了TRR值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受很高的反向工做电压。

  快恢复二极管的内部布局取通俗PN结二极管分歧,它属于PIN结型二极管,即正在P型硅材料取N型硅材料两头添加了基区I,形成PIN硅片。

  快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特征好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,次要使用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电中,做为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管利用。

  快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小,使其trr可低至几十纳秒。20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封拆形式。

  一般来说,快恢复二极管的正向压降小,0.4V摆布,而通俗的硅管正在0.6V摆布,为了降低损耗才用快恢复二极管。

  快恢复二极管的最次要特点是它的反向恢复时间(trr)正在几百纳秒(ns)以下,超快恢复二极管以至能达到几十纳秒。

  快恢复二极管,具有反向阻断时高耐压低漏电流,正向低通态电阻大电流的特点。因为做为开关利用,因而一般需要其开关速度较快。别的,恰当选择续流二极管的特征,特别是反向恢复特征,如反向恢复时间和反向恢复软度,可以或许显著削减开关器件、二极管和其他电元件的功耗,并减小由续流二极管惹起的电压尖峰、电磁干扰,从而尽量削减以至去掉接收电。

点击次数:  更新时间:2016-05-052019-11-01