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该专利全数属于中国电子科技集团公司第十三钻

 

  采用上述手艺方案所发生的无益结果正在于:所述二极管操纵梁式引线布局,能够实现细小芯片的压焊机拆卸,削减了涂覆导电胶带来的麻烦,降低了器件拆卸难度,提高工做效率和器件的质量。

  太赫兹频段的器件尺寸很是细小,正在100微米量级,一般采用导电胶倒拆粘正在石英电基板上,对拆卸要求很是高。分立器件中的悬空梁式引线布局次要是便于器件的拆卸,正在GaAs中悬空梁式引线很常见。因为GaN及衬底的50um以上的采用化学侵蚀及干法刻蚀都不克不及实现,肖特基二极管器件悬空梁式引线制备坚苦,目前还没有带梁式引线的GaN肖特基二极管呈现。

  10)采用厚胶多次旋涂方式进行平整化工艺,将烧蚀槽填平,正在另一个欧姆接触电极以及空气桥上光刻出梁式引线图形,采用电镀方式正在梁式引线图形上制做出梁式引线;

  6)正在N-型GaN层5的上概况进行光刻,显露肖特基接触区,正在肖特基接触区蒸发金属构成肖特基接触层7,肖特基接触层7为钛层、铂层和/或金层;

  9)采用激光烧蚀的方式将芯片四周的衬底1侵蚀掉,正在芯片的四周构成烧蚀槽,所述烧蚀槽深度正在20um至100um之间;

  本适用新型所要处理的手艺问题是供给一种带有悬空梁式引线布局的GaN肖特基二极管,所述二极管操纵梁式引线布局,能够实现细小芯片的压焊机拆卸,削减了涂覆导电胶带来的麻烦,降低了器件拆卸难度,提高工做效率和器件的质量。

  进一步的手艺方案正在于:高的N+型GaN层的元素为Ⅳ族元素,浓度正在1016/cm3量级到1019/cm3量级之间。

  4)采用光刻方式对N-型GaN层5进行光刻显露N-型GaN台面隔离,采用干法刻蚀构成欧姆接触层之间的隔离槽3;

  2)正在高的N+型GaN层2的上概况外延发展N-型GaN层5;高的N+型GaN层元素为Ⅳ族元素,如Si元素,实现浓度正在1016/cm3量级到1019/cm3量级之间;采用外延发展N-型GaN层5,浓度按照1016/cm3量级到1018/cm3量级之间,元素为Ⅳ族元素,如Si元素;

  5)正在N+型GaN层2的上概况构成构成欧姆接触电极,欧姆接触电极可认为钛层、铝层、镍层和/或金层,并通过高温快速退火构成欧姆接触;

  下面连系本适用新型实施例中的附图,对本适用新型实施例中的手艺方案进行清晰、完整地描述,明显,所描述的实施例仅仅是本适用新型的一部门实施例,而不是全数的实施例。基于本适用新型中的实施例,本范畴通俗手艺人员正在没有做出创制性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本适用新型的范畴。

  如图1-2所示,本适用新型公开了一种带有悬空梁式引线布局的GaN肖特基二极管,包罗衬底1,所述衬底1可认为硅衬底、蓝宝石衬底、碳化硅衬底或氮化镓单晶衬底,当然还可认为其他顺应的衬底。所述衬底1上概况的两个有源区设有高的N+型GaN层2,两个高的N+型GaN层2之间设有隔离槽3,高的N+型GaN层2的元素为Ⅳ族元素,如Si元素等,浓度正在1016/cm3量级到1019/cm3量级之间。左侧高的N+型GaN层2的上概况设有第一欧姆接触层4和N-型GaN层5,N-型GaN层5的元素为Ⅳ族元素,如Si元素等,浓度正在1016/cm3量级到1018/cm3量级之间。

  此中:1、衬底 2、N+型GaN层 3、隔离槽 4、第一欧姆接触层 5、N-型GaN层 6、第二欧姆接触层 7、肖特基接触层 8、空气桥 9、第一悬空梁式引线、第二悬空梁式引线。

  为处理上述手艺问题,本适用新型所采纳的手艺方案是:一种带有悬空梁式引线布局的GaN肖特基二极管,其特征正在于:包罗衬底,所述衬底上概况的两个有源区设有高的N+型GaN层,两个高的N+型GaN层之间设有隔离槽,左侧高的N+型GaN层的上概况设有第一欧姆接触层和N-型GaN层,第一欧姆接触层和N-型GaN层连结间隔设置,左侧高的N+型GaN层的上概况设有第二欧姆接触层,所述N-型GaN层的上概况设有肖特基接触层,所述肖特基接触层取第二欧姆接触层之间通过空气桥进行毗连,所述第一欧姆接触层上设有第一悬空梁式引线,所述空气桥上设有第二悬空梁式引线。

  进一步的手艺方案正在于:N-型GaN层的元素为Ⅳ族元素,浓度正在1016/cm3量级到1018/cm3量级之间。

  鄙人面的描述中阐述了良多具体细节以便于充实理解本适用新型,可是本适用新型还能够采用其他分歧于正在此描述的其它体例来实施,本范畴手艺人员能够正在不本适用新型内涵的环境下做雷同推广,因而本适用新型不受下面公开的具体实施例的。

  第一欧姆接触层4和N-型GaN层5连结间隔设置,左侧高的N+型GaN层2的上概况设有第二欧姆接触层6,优选的,所述欧姆接触层包罗钛层、铝层、镍层和/或金层。所述N-型GaN层5的上概况设有肖特基接触层7,优选的,所述肖特基接触层7包罗钛层、铂层和/或金层。所述肖特基接触层7取第二欧姆接触层6之间通过空气桥8进行毗连,所述第一欧姆接触层4上设有第一悬空梁式引线上设有第二悬空梁式引线。

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点击次数:  更新时间:2016-05-052019-09-07